St Microelectronics, fabricante ítalo-francesa de componentes eletrônicos semicondutores, assinou um acordo com Sanan Optoeletrônica, uma empresa chinesa especializada em semicondutores compostos. O objetivo desta colaboração é o estabelecimento de uma joint venture de fabricação em Chongqing, China, que se concentrará na produção de dispositivos de carboneto de silício (SiC) com um diâmetro de 200 mm. O principal objetivo desta iniciativa é responder à crescente procura chinesa por dispositivos de SiC utilizados noeletrificação de veículos e em aplicações industriais para energia e potência.
Stm: os tempos de produção da nova fábrica
Espera-se que a produção na fábrica de SiC recém-construída comece nos últimos meses de 2025, enquanto a conclusão da fabricação está prevista para 2028. Além disso, a Sanan estabelecerá e operará uma instalação separada de fabricação de substrato de SiC, que atenderá às necessidades da joint venture. Esta planta usará seu próprio processo de produção de substrato de SiC.
Ele orçamento
A joint venture produzirá exclusivamente dispositivos SiC em nome da StMicroelectronics, fazendo uso de sua tecnologia de processo de fabricação proprietária e também construirá uma fundição dedicada para a StMicroelectronics, a fim de atender à demanda dos clientes chineses da empresa. Espera-se que toda a implementação da joint venture exija um investimento total de aprox. 3,2 mil milhões de dólares. Este valor inclui gastos de capital de aproximadamente US$ 2,4 bilhões, que serão cobertos por contribuições financeiras da STMicroelectronics e da Sanan nos próximos cinco anos, com apoio do governo local e empréstimos de joint venture.
