意法半导体在 Piazza Affari 崛起 在与中国 Innoscience 达成开发和生产协议后 氮化镓技术。上午该股上涨 0,98% 至 20,185 欧元，最高曾触及 20,495 欧元。在经历了过去几个月影响国际科技行业的困难之后，这股清新的气息出现了。
Stm与Innoscience之间的协议
STM 与 Innoscience 签署了一项协议，Innoscience 是一家活跃于 GaN on Si（硅基氮化镓）制造的中国公司，该协议规定 GaN技术的开发和生产， 生成对抗网络（Generative Adversarial Networks，简称“生成对抗网络”）.
意法半导体在一份说明中解释称，该协议将利用每家公司的优势来优化 数据中心电力电子的未来 人工智能、可再生能源生产和存储以及车辆。
根据计划，双方将在GaN功率技术方面开展联合开发，以推动未来几年GaN功率在消费电子、数据中心、汽车和工业电源系统等诸多应用领域的良好发展前景。
此外，该协议允许 Innoscience 利用 STM 在中国以外的前端制造能力来生产其 GaN 晶圆，而 STM 可以利用 Innoscience 在中国的前端制造能力来生产其 GaN 晶圆。
该公司在一份声明中表示：“我们的共同目标是，每家公司都通过供应链灵活性和弹性来扩展各自的 GaN 产品，以满足客户在广泛应用中的所有需求。”
Innoscience 首席执行官 Innoscience 表示：“ST 和 Innoscience 都是集成设备制造商，通过这项协议，我们将利用这种模式让全球客户受益。首先，ST 将加快其 GaN 功率技术路线图，以补充其硅和碳化硅产品。其次，ST 将能够利用灵活的制造模式为全球客户提供服务。” 马可·卡西斯意法半导体总裁。
“GaN 技术是改进电子产品、打造更小、更高效的系统的关键，这些系统可以节省电力、降低成本并减少二氧化碳排放。Innoscience 率先实现了 2 英寸 GaN 技术的量产，并已向多个市场交付了超过 8 亿台 GaN 设备。我们很高兴与 ST 建立战略合作关系。ST 和 Innoscience 的联合合作将进一步扩大和加速 GaN 技术的采用。Innoscience 和 ST 团队将共同开发下一代 GaN 技术，” 罗薇薇，Innoscience 董事长兼联合创始人。
