Ст Микроэлектроника, итало-французский производитель полупроводниковых электронных компонентов, подписал соглашение с Санан Оптоэлектроника, китайская компания, специализирующаяся на композитных полупроводниках. Целью этого сотрудничества является создание совместного производственного предприятия в Чунцине, Китай, которое будет заниматься производством устройств из карбида кремния (SiC) диаметром 200 мм. Основная цель этой инициативы — удовлетворить растущий спрос Китая на устройства SiC, используемые вэлектрификация автомобиля и в промышленных применениях для энергии и власти.
Stm: время производства нового завода
Ожидается, что производство на недавно построенном заводе SiC начнется в последние месяцы 2025, а окончание изготовления запланировано на 2028. Кроме того, Sanan создаст и будет управлять отдельным предприятием по производству подложек из карбида кремния, которое будет обслуживать потребности совместного предприятия. На этом заводе будет использоваться собственный процесс производства подложек из карбида кремния.
Бюджет
Совместное предприятие будет производить SiC-устройства исключительно от имени StMicroelectronics, используя их запатентованную технологию производственного процесса, а также построит специальный литейный цех для StMicroelectronics, чтобы удовлетворить спрос китайских клиентов компании. Ожидается, что полная реализация совместного предприятия потребует общих инвестиций в размере ок. 3,2 миллиардов долларов. Эта цифра включает капитальные затраты в размере около 2,4 миллиарда долларов, которые будут покрыты за счет финансовых взносов STMicroelectronics и Sanan в течение следующих пяти лет при поддержке местных органов власти и займах совместных предприятий.
