St Microélectronique, un fabricant franco-italien de composants électroniques à semi-conducteurs, a signé un accord avec Optoélectronique Sanan, une société chinoise spécialisée dans les semi-conducteurs composites. L'objectif de cette collaboration est la création d'une coentreprise de fabrication à Chongqing, en Chine, qui se concentrera sur la production de dispositifs en carbure de silicium (SiC) d'un diamètre de 200 mm. L'objectif principal de cette initiative est de répondre à la demande croissante de la Chine en dispositifs SiC utilisés dans leélectrification des véhicules et dans les applications industrielles pour l'énergie et l'électricité.
Stm : les délais de production de la nouvelle usine
La production de la nouvelle usine de SiC devrait démarrer au cours des derniers mois de 2025, tandis que l'achèvement de la fabrication est prévu pour 2028. En outre, Sanan établira et exploitera une usine de fabrication de substrats SiC distincte, qui répondra aux besoins de la coentreprise. Cette usine utilisera son propre procédé de production de substrats SiC.
Le budget
La joint-venture produira exclusivement des dispositifs SiC pour le compte de StMicroelectronics, en utilisant leur technologie de processus de fabrication propriétaire et construira également une fonderie dédiée à StMicroelectronics, afin de répondre à la demande des clients chinois de l'entreprise. La mise en œuvre complète de la coentreprise devrait nécessiter un investissement total d'environ 3,2 milliards de dollars. Ce chiffre comprend des dépenses en capital d'environ 2,4 milliards de dollars, qui seront couvertes par les contributions financières de STMicroelectronics et de Sanan au cours des cinq prochaines années, avec le soutien des gouvernements locaux et des prêts de coentreprise.
