StMicroelectrónica, fabricante ítalo-francés de componentes electrónicos semiconductores, ha firmado un acuerdo con Optoelectrónica Sanan, una empresa china especializada en semiconductores compuestos. El objetivo de esta colaboración es el establecimiento de una empresa conjunta de fabricación en Chongqing, China, que se centrará en la producción de dispositivos de carburo de silicio (SiC) con un diámetro de 200 mm. El principal objetivo de esta iniciativa es dar respuesta a la creciente demanda china de dispositivos SiC utilizados en laelectrificación de vehículos y en aplicaciones industriales para energía y potencia.
Stm: los tiempos de producción de la nueva planta
Se espera que la producción en la planta de SiC recién construida comience en los últimos meses de 2025, mientras que la finalización de la fabricación está prevista para 2028. Además, Sanan establecerá y operará una planta de fabricación de sustratos de SiC separada, que atenderá las necesidades de la empresa conjunta. Esta planta utilizará su propio proceso de producción de sustrato de SiC.
el presupuesto
La empresa conjunta producirá exclusivamente dispositivos de SiC en nombre de StMicroelectronics, haciendo uso de su tecnología de proceso de fabricación patentada y también construirá una fundición dedicada para StMicroelectronics, con el fin de satisfacer la demanda de los clientes chinos de la empresa. Se espera que la implementación completa de la empresa conjunta requiera una inversión total de aproximadamente 3,2 millones. Esta cifra incluye gastos de capital de aproximadamente $2,4 millones, que serán cubiertos por contribuciones financieras de STMicroelectronics y Sanan durante los próximos cinco años, con apoyo del gobierno local y préstamos de empresas conjuntas.
