StMikroelektronik, ein italienisch-französischer Hersteller von elektronischen Halbleiterkomponenten, hat eine Vereinbarung mit unterzeichnet Sanan Optoelektronik, ein chinesisches Unternehmen, das sich auf Verbundhalbleiter spezialisiert hat. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Gründung eines Fertigungs-Joint-Ventures in Chongqing, China, das sich auf die Produktion von Siliziumkarbid (SiC)-Geräten mit einem Durchmesser von 200 mm konzentrieren wird. Das Hauptziel dieser Initiative besteht darin, auf die wachsende chinesische Nachfrage nach SiC-Geräten für den Einsatz zu reagierenElektrifizierung von Fahrzeugen und in industriellen Anwendungen für Energie und Strom.
Stm: die Produktionszeiten des neuen Werks
Die Produktion im neu errichteten SiC-Werk soll voraussichtlich in den letzten Monaten beginnen 2025, während die Fertigstellung der Fertigung geplant ist 2028. Darüber hinaus wird Sanan eine separate Produktionsanlage für SiC-Substrate errichten und betreiben, die den Bedürfnissen des Joint Ventures gerecht wird. In dieser Anlage wird ein eigener Herstellungsprozess für SiC-Substrate zum Einsatz kommen.
Das Budget
Das Joint Venture wird ausschließlich SiC-Geräte im Auftrag von StMicroelectronics produzieren und dabei die proprietäre Fertigungstechnologie des Unternehmens nutzen. Außerdem wird es eine eigene Gießerei für StMicroelectronics errichten, um die Nachfrage der chinesischen Kunden des Unternehmens zu befriedigen. Die gesamte Umsetzung des Joint Ventures erfordert voraussichtlich eine Gesamtinvestition von ca 3,2 Milliarden Dollar. In dieser Zahl sind Investitionsausgaben in Höhe von etwa 2,4 Milliarden US-Dollar enthalten, die in den nächsten fünf Jahren durch finanzielle Beiträge von STMicroelectronics und Sanan sowie durch Unterstützung der lokalen Regierung und Joint-Venture-Darlehen gedeckt werden.
